Intel 將於 Intel 4 製程 E-Core 晶片展示 PowerVia 背面電源傳遞技術

VLSI 的 Twitter 推文中首次看到 Intel 的 PowerVia 展示，該展示將在 2023 年 6 月開始的 VLSI 研討會上進行。在推文中，VLSI 展示了 Intel 在晶片背面的 PowerVia，該晶片使用 Intel 4 製程，並實現了全 E-Core 架構。

這款 Intel 4 晶片看起來似乎是基於較早的 LGA1151 / LGA1200 腳位，因為它的形狀是正方形，並且在封裝下方有一個次級晶片，這裡是通常會看到大量小型晶體管的區域，但大部分晶體管已經被 PowerVia 技術取代。考慮到基於 Intel 4 的 E-Core，它可能是基於即將推出的 Crestmont 架構，該架構為 Meteor Lake 的 E-Core 提供動力。

此外，從單元利用率顯示，在晶片內的 2.9mm2 區域，Intel PowerVia 技術可以達到 90% 的利用率。不僅利用率變得更好，而且還可以在相同晶片上實現較低的 IR 下降，提升 5% 的時脈速度。

更有趣的是，VLSI 表示這是一個高產量設計，但至少要等到 Arrow Lake 或 Lunar Lake 世代才會出現，原因是 PowerVia 和 RibbonFET 將在 20A 和 18A 製程中被消費級晶片採用。據說第一批 PowerVia 晶片將在 2024 年投入量產。

從之前的資訊中，我們知道 PowerVia 是一種背面供電過程，用於解決矽晶片架構中的連接瓶頸問題，一旦 PowerVia 可用，就應該能被解決。Power Via 將直接將電源傳遞到矽晶圓的背面，同時在晶圓頂部傳輸訊號。

PowerVia 這種技術將為晶片的性能、效率和可靠性帶來改變，當 PowerVia 晶片在市場上推出時，它可能會對競爭對手產生壓力，迫使他們提供更好的解決方案以保持競爭力。無論如何，大家可以期待看到這項創新技術對半導體行業產生的影響。

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