Intel 打算重返記憶體市場？執行長陳立武透露全新架構與 3D 堆疊新技術
擺脫大宗商品定位：Intel 為何想在 AI 時代重返記憶體戰場
近年隨著 AI 熱潮全面爆發，伺服器與資料中心對處理器與記憶體的頻寬需求出現爆發性成長，甚至面臨了業界常說的「DRAM 牆」瓶頸。針對這個困境，Intel 似乎正悄悄準備一場重磅反擊。Intel 執行長陳立武（Lip-Bu Tan）近期在科技 podcast 節目 TechSurge: Deep Tech VC Podcast 中透露，公司正在研發全新的記憶體架構，並嘗試透過 3D 堆疊技術將 CPU 與記憶體更緊密地整合在一起。此番言論立刻引發科技業界熱烈討論，不少人猜想這是否暗示著這家半導體老大哥準備重新踏入記憶體製造的領域。
回顧 Intel 的發展史，早在 1968 年創立初期，公司正是靠著 3101 SRAM 與 1103 DRAM 這類記憶體產品起家，不過隨著市場競爭加劇，Intel 在數十年間逐漸將重心轉向 CPU 處理器。雖然前幾年曾與美光（Micron）合作推出 Optane（3D XPoint）技術，企圖在傳統 DRAM 與 NAND 之間開創新市場，但由於推廣不如預期，最終在 2022 年遺憾劃下句點。然而，陳立武指出，過去大家常把記憶體視為價格波動劇烈且利潤偏低的大宗商品，因此投資意願不高；但在代理式 AI 與推理運算大行其道的今天，市場遊戲規則已完全改變，記憶體領域充滿尚未被挖掘的創新機會。
為了實現這項長期戰略，Intel 其實早已開始悄悄佈局。陳立武特別提到，他最近邀請了前 SK Hynix 執行長李錫熙（Seok-Hee Lee）加入團隊，擔任 Intel 代工業務與先進封裝技術的執行副總裁。業界分析，這項高層人事任命絕非偶然，正是 Intel 打算在記憶體與先進封裝領域大展身手的重要訊號。
此外，Intel 內部也有諸如 XBM 與 ZAM 等先進記憶體專案正在推進中，其中 ZAM 更是被寄予厚望，目標提供兩倍於 HBM4 的頻寬與更大容量，同時解決發熱限制，預計最快於 2029 至 2030 年間登場。如果這些新架構順利落地，搭配自家晶圓代工與 EMIB 等先進封裝實力，Intel 將有機會提供一站式的超級晶片解決方案。
Intel 執行長陳立武最近透露了什麼重要訊息？
陳立武在 Podcast 節目中透露，Intel 正針對 AI 運算需求研發全新的記憶體架構與 3D 堆疊技術，並暗示 Intel 未來可能重新投入記憶體領域的創新與製造。
為什麼 Intel 過去退出記憶體市場，現在又想重新考慮？
過去記憶體被視為利潤較低的「大宗商品」，但隨著 AI 與推理運算需求大增，記憶體頻寬成為算力瓶頸，使其成為富含創新價值與高附加價值的關鍵領域。
Intel 為何聘請前 SK Hynix 執行長李錫熙？
Intel 聘請李錫熙擔任代工業務與先進封裝技術的執行副總裁，主要是看重其在記憶體巨頭的豐富經驗，協助 Intel 推進記憶體與先進封裝的整合佈局。
Intel 過去在記憶體領域有哪些代表性產品或技術？
Intel 初期以 SRAM 和 DRAM 起家，後來曾與美光合作開發 Optane（3D XPoint）技術，但該技術已於 2022 年正式終止。
Intel 的 ZAM 記憶體技術有什麼特色與預計發表時間？
ZAM 專案旨在解決 HBM 的熱瓶頸，預計能提供傳統 HBM4 兩倍的頻寬與更高容量，規劃於 2029 至 2030 年間登場。
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