Intel 俄亥俄州新廠發重金催進度！先進封裝 EMIB-T 良率衝破 90% 挑戰台積電
Intel EMIB-T 先進封裝爆發突破，成本便宜一半成最大武器
晶圓代工大戰越演越烈，Intel 最近動作頻頻，為了確保旗下位於美國俄亥俄州的 1,000 英畝龐大晶圓廠園區能如期在 2031 年進入高產量的 14A 埃米級製程，Intel 已開始對施工人員發放豐厚的加班獎金，展現不惜砸重金也要提早完工的強烈決心。
除了晶圓製造端加緊趕工，Intel 在先進封裝領域也傳出振奮人心的好消息。作為台積電 CoWoS-L 強勁對手的 EMIB-T（帶透過矽導孔的嵌入式多晶片互連橋接）技術，目前封裝本身的良率已一舉逼近 90% 大關。這項技術透過在有機基板中埋入微小的矽橋，並利用垂直的矽導孔（TSV）讓電力與訊號直接貫穿，實現高密度的 3D 晶片堆疊。
此外，EMIB-T 的生產成本預估比台積電的 CoWoS 還要便宜將近 50%，對於許多對價格敏感的 AI 晶片與 CPU 客戶來說，無需負擔昂貴的矽中介層（Silicon Interposer），代表著極大的結構性成本優勢，或許有可能帶動一波晶片設計廠轉單的熱潮。
不過，雖然 EMIB-T 封裝本身的良率令人滿意，但目前主要的卡關點落在「基板（Substrate）」的製造上。由於需要在有機面板中進行精準鑽孔並嵌入矽橋，目前的基板良率依然停留在 50% 左右。主要供應商包括揖斐電（Ibiden）、欣興電子（Unimicron）等正全力配合提升產能與良率。供應鏈消息指出，Intel 已將 EMIB-T 的量產時程提前到 2028 年初，未來幾年先進封裝市場的競爭將變得更加精彩。
Intel 俄亥俄州晶圓廠的主要目標是什麼？
Intel 俄亥俄州晶圓廠佔地 1,000 英畝，主要用於生產 18A 與 14A 等埃米級先進製程，目標在 2031 年實現高產量商業化運作。
什麼是 Intel 的 EMIB-T 先進封裝技術？
EMIB-T 是 Intel 的先進封裝技術，透過在有機基板嵌入矽橋並結合矽導孔（TSV）技術，實現高密度的 3D 晶片堆疊與高效能傳輸。
Intel EMIB-T 相較於台積電 CoWoS 有什麼優勢？
EMIB-T 不需要使用昂貴的全矽中介層，因此生產成本比台積電 CoWoS 便宜約 50%，具備顯著的成本優勢。
目前 Intel EMIB-T 技術面臨的瓶頸是什麼？
目前 EMIB-T 封裝本身的良率已接近 90%，但 EMIB-T 特製基板（Substrate）的良率仍卡在 50% 左右，是目前急需克服的產能瓶頸。
Intel EMIB-T 預計何時進入大規模量產？
Intel 原定規劃於 2027 年後推出，目前供應鏈消息傳出量產時程已提早至 2028 年初進行大規模推廣。
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