重返榮耀！Intel 聯手軟銀推 ZAM 記憶體標準、挑戰 HBM 霸主地位

Intel 重啟 ZAM 記憶體戰線的背後動機

在全球 AI 基礎設施建設進入白熱化的 2026 年，超大型資料中心與晶片製造商對 DRAM 的需求正呈現爆發式成長。然而，全球記憶體供應商數量有限，導致供應鏈瓶頸日益嚴重，這為市場新競爭者的進入創造絕佳機會。Intel 顯然看準了這個時機，決定採取與以往不同的戰略角度切入。Intel 這次選擇與軟銀（SoftBank）旗下的 Saimemory 攜手合作，共同開發名為 Z-Angle Memory（簡稱 ZAM）的新一代記憶體標準，這不僅是技術上的革新，更是 Intel 試圖打破現有記憶體市場壟斷的重要佈局。

ZAM 技術的起源可追溯至美國能源部（DoE）發起的先進記憶體技術（AMT）計畫，當時 Intel 便展示了其下一代 DRAM 鍵合技術。與傳統記憶體垂直向下鑽孔的互連方式不同，ZAM 採用了一種交錯的互連拓撲結構，讓連接線在晶圓堆疊中以對角線（Z-Angle）方向進行佈線。這種獨特的設計能更有效地利用矽基板面積來放置記憶體單元，從而達成更高的存儲密度並降低熱阻。Intel 官方表示，傳統的記憶體架構已無法滿足人工智慧的需求，因此他們必須從根本上重新思考 DRAM 的組織方式，目標是實現跨世代的效能提升並將其納入工業標準。

intel plans to reenter memory business with zam 1

在技術細節上，ZAM 預計會採用銅對銅（Copper-to-Copper）混合鍵合技術，這能實現更高效的層間融合，讓多層堆疊看起來更像是一個完整的單晶矽塊。值得關注的是，ZAM 被設計為一種無電容器（Capacitor-less）結構，這意味著它能顯著簡化製造流程。Intel 計畫利用其引以為傲的 EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）封裝技術，將這種新型記憶體直接與 AI 晶片連結。透過這種方式，ZAM 不僅能提供比現有 HBM 技術更出色的功耗表現（預計降低 40% 至 50%），還能實現單晶片高達 512GB 的驚人容量，為超大規模堆疊鋪平道路。

對軟銀而言，與 Intel 合作開發 ZAM 具有極高的戰略價值。這讓軟銀能夠掌控完整的記憶體技術堆疊，並有望率先應用於其客製化 ASIC 晶片（如 Izanagi 系列）中，使其在架構設計上擁有更大的自主權。回顧歷史，Intel 曾是記憶體市場的早期領軍者，但在 1985 年因日本廠商的強力競爭而退出該領域。如今，Intel 帶著 ZAM 強勢回歸，若能成功說服如 NVIDIA 這樣的行業巨頭採用此技術，將徹底改變目前的 AI 硬體版圖，讓 Intel 在晶圓代工與封裝服務之外，再次掌握記憶體這個關鍵命脈。