Intel ZAM 記憶體原型首度亮相！Z-Angle 封裝黑科技如何擊敗 HBM 成為 AI 救星？
Intel 記憶體王者的強勢回歸：ZAM 原型機現身
科技圈最近掀起一場大地震！Intel（英特爾）在最新的展示中，首度向外界揭開了名為「ZAM」（Z-Angle Memory）的次世代記憶體原型神秘面紗。這項技術不僅僅是為了應對全球記憶體短缺，更是為了直接挑戰當前 AI 運算的命脈：HBM（高頻寬記憶體）。這場由 Intel 攜手軟銀（SoftBank）旗下 SAIMEMORY 共同推進的計畫，標誌著這家半導體巨頭準備重新奪回記憶體領域的話語權。
為什麼這款記憶體要叫做 ZAM？關鍵就在於它的核心結構「Z-Angle」互連技術。在傳統的 HBM 堆疊中，資料傳輸主要依靠垂直穿透矽通孔（TSV）來進行，但當堆疊層數越多，散熱與電磁干擾就會變成噩夢。Intel 研發的 Z-Angle 則是讓連接路徑在晶粒堆疊中以「斜向」或是 Z 字型的方式移動，這種設計極大化地利用了矽片的空間。透過這種創新的佈局， ZAM 成功將熱阻降低，解決 AI 加速器在高速運算時最頭痛的發熱問題。
根據這次展示的數據， ZAM 的效能表現簡直可以用「規格殺手」來形容。目前的 HBM 雖然快，但在容量與功耗上仍有其天花板，而 ZAM 則搭載 Intel 的次世代 DRAM 鍵合（NGDB）技術，這讓它能輕鬆實現單顆晶片高達 512GB 的驚人密度。更讓對手汗顏的是， ZAM 在維持超高頻寬的同時，還能減少約 40% 到 50% 的功耗。這對於動輒耗電數百瓦的 AI 資料中心來說，簡直是從天上掉下來的省錢福音。
這項計畫其實源自於美國能源部（DoE）所推動的先進記憶體技術（AMT）研發項目，背後更有桑迪亞與勞倫斯利佛摩等國家級實驗室的身影。Intel 這次不僅是提供技術證明，更要透過封裝技術的革新來建立新的標準。雖然目前我們看到的只是原型機，但 Intel 已劃下明確的時間軸：預計 2027 年產出更完整的原型，並在 2030 年左右正式邁向商業市場。雖然離普及還有一段路，但 ZAM 的出現無疑給了目前處於壟斷地位的 HBM 供應商們一記響亮的警鐘。
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