Micron 發布智慧裝置使用 UFS 4.0 規格：資料傳輸速度高達每秒 4300 MB

Micron 宣布了其 UFS 4.0，未來將應用在智慧手機、平板電腦和其他設備中，這款新一代快閃記憶體擁有驚人的讀寫速度，超越了 PCIe Gen 3.0 標準，同時也提高了功耗效率。

232 層 NAND 技術打造

新的 UFS 4.0 記憶體是基於 Micron 232 層 NAND 技術製成的，使其能在每平方米上添加更多位元，從而提高密度並降低功耗，使其成為各種用途的理想選擇。

Micron 最新移動解決方案將我們最先進的 UFS 4.0 技術、專有的低功耗控制器、232 層 NAND 和高度可配置的韌體架構緊密結合在一起，以提供無與倫比的性能。這些技術使 Micron 處於提供我們的客戶需要的性能和低功耗創新的前端，以便為旗艦智慧手機的終端用戶體驗提供卓越的支援。

– Micron

超越 Samsung 的 UFS 4.0 快閃記憶體

Micron UFS 4.0 強大之處在於連續讀寫速度，根據 Micron 發布的數據，其快閃記憶體的速度超越了 Samsung 的 UFS 4.0 晶片。該公司表示，連續讀取速度可以達到每秒 4300 MB，連續寫入速度可以達到每秒 4000 MB。有了這些升級，Micron 表示，智慧手機應用將比 UFS 3.1 快 15%，而手機的開機速度將比 UFS 3.1 快 20%。

新技術據說比前一代標準節能 25%，並且與競爭對手相比，寫入優勢提高了 10%。Micron 也提供了另一個數據參考，表示用戶可以在不到 15 秒的時間內下載兩小時的 4K 串流內容，這使其比前一代標準快兩倍。

UFS 4.0 儲存裝置的推出時間

Micron 現在正在向全球的智慧手機製造商和晶片供應商發送其 UFS 4.0 解決方案樣品，包括 256GB、512GB 和 1TB 的版本，並預計將在 2023 年下半年開始大規模生產。

除非 Samsung 在正式發布之前推出其尖端的 UFS 5.0，否則 Micron 的快閃記憶體很可能會被各種配備 Qualcomm 的 Snapdragon 8 Gen 3 和 MediaTek 的 Dimensity 9300 的旗艦智慧手機所使用，這種創新的記憶體技術將有助於推動智能手機和其他移動設備的性能和效能，並可能對整個行業產生深遠影響。

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