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Micron DRAM 路線圖公布:HBM3 Gen 2、HBMNext、GDDR7 和 32Gb DDR5

Micron DRAM 路線圖正式公布,包括下一代 HBM3 產品、GDDR7 和更高密度的 DDR5 晶片。
Micron dram

Micron DRAM 路線圖正式公布

Micron 發表了業界最快、最高容量的 HBM DRAM,並透露了 GDDR7 的計畫,這是一個熱門話題。Micron 還公佈了其 32 Gb DDR5 DRAM 晶片,將在 2024 年上半年推出,容量可達 128 GB 每模組和 1TB 每 DIMM。

HBM3 Gen 2 和 HBMNext:超高速、超高容量的 DRAM 解決方案

Micron 首先發表了業界最快、最高容量的 HBM DRAM。這個新的 HBM 解決方案被稱為 HBM3 Gen 2,將採用 1β 製程節點,提供更快的速度和更高的容量。讓我們來看看技術和詳細的分解。

micron hbm3 gen 2

Micron 的 HBM3 Gen 2 似乎是一個過渡性的解決方案,將作為下一代 HBM 標準的過渡。因此,Micron 將把現有的 HBM3 標準推向最大潛力。HBM3 Gen 2 的第一代將採用 8-Hi 設計,提供高達 24 GB 的容量和超過 1.2 TB/s 的頻寬,比前一代提高了 2.5 倍的性能功耗比。DRAM 的運行速度為 9.2 Gb/s,比現有標準提高了 50%,後者的速度約為 4.6 Gb/s,預計將在 2024 年推出。

同時,Micron 也將開始取樣其第二代 HBM3 Gen 2 DRAM,將在 2025 年推出,這款 HBM3 Gen 2 DRAM 將採用 12-Hi 設計,提供高達 36 GB 的 DRAM 容量,並再次超過 1.2 TB/s 的頻寬。兩款 HBM3 Gen 2 解決方案都將針對 AI 和生成空間,這是近年來席捲業界的領域。

但這還不是全部,該公司還列出了其 HBMNext DRAM 解決方案,可能是指 HBM4。這個解決方案將提供 36GB 到 64GB 的容量範圍和 1.5 到 2+ TB/s 的頻寬範圍。Micron 的競爭對手 SK Hynix ,也正準備在 2026 年推出其下一代 HBM4 DRAM 解決方案,與 Micron 的 HBMNext 解決方案同期。

HBM 記憶體規格比較

類型HBM1HBM2HBM2EHBM3HBM3 GEN2HBMNEXT (HBM4)
I/O (匯流排介面)102410241024102410241024
預取 (I/O)222222
最大頻寬128 GB/s256 GB/s460.8 GB/s819.2 GB/s1.2 TB/s1.5 – 2.0 TB/s
DRAM ICs 每堆疊488128-128-12
最大容量4 GB8 GB16 GB24 GB24 – 36 GB36-64 GB
tRC48ns45ns45nsTBATBATBA
tCCD2ns (=1tCK)2ns (=1tCK)2ns (=1tCK)TBATBATBA
VPP外部 VPP外部 VPP外部 VPP外部 VPP外部 VPPTBA
VDD1.2V1.2V1.2VTBATBATBA
命令輸入雙命令雙命令雙命令雙命令雙命令雙命令

GDDR7:下一代消費級 DRAM 解決方案

除了 HBM3 Gen 2 和 HBMNext 解決方案,Micron 還透露了其 GDDR7 的計畫,這是一個熱門話題。該公司已經確認將在 2024 年上半年推出下一代消費者級 DRAM 解決方案,並與三星競爭,後者也宣佈了其解決方案的速度為每秒傳輸 32Gbps。

Micron HBM3 Gen2 HBMNext HBM4 GDDR7 DDR5 DRAM 6 g low res scale 4 00x Custom 1920x1080 1

有趣的是,Micron 將在其 GDDR7 GPU DRAM 中提供兩種不同的晶片,分別為每晶片 16Gb 和每晶片 24Gb,這對於更高的 VRAM 容量是個好消息。將使得每個 GPU 階層的容量都有所提高,與 GDDR6X 相比時,後者僅限於每晶片 16Gb。GDDR7 記憶體還將以更快的 32Gbps 速度運行,每個模組提供高達 128GB/s 頻寬。以下是可以從各種匯流排配置中期待的:

  • 32Gbps@128-bit:512GB/s、每晶片 12GB VRAM
  • 32Gbps@192-bit:768 GB/s、每晶片 18GB VRAM
  • 32Gbps@256-bit:1024 GB/s、每晶片 24GB VRAM
  • 32Gbps@320-bit:1280 GB/s、每晶片 30GB VRAM
  • 32Gbps@384-bit:1536 GB/s、每晶片 36GB VRAM

32Gb DDR5:更高密度的 DDR5 晶片

Micron 還公佈了其 32Gb DDR5 DRAM 晶片,將在 2024 年上半年推出,容量可達 128GB 每模組和 1TB 每 DIMM,將使得每個 DIMM 的容量都有所提高,與現有的 DDR5 相比時,後者僅限於每晶片 16Gb。

Micron 的 32Gb DDR5 DRAM 晶片將採用 1α 製程節點,並提供更快的速度和更高的容量。該公司還表示,它將在未來推出更多的 DDR5 解決方案,包括更快的速度和更高的容量。

結論

Micron 在 2023 年第三季的財報會議上公佈了其全新的 DRAM 路線圖,包括下一代 HBM3 產品、GDDR7 和更高密度的 DDR5 晶片,這些新產品將為消費者和企業客戶提供更快、更高容量的 DRAM 解決方案。

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