Micron DRAM 路線圖公布:HBM3 Gen 2、HBMNext、GDDR7 和 32Gb DDR5
Micron DRAM 路線圖正式公布
Micron 發表了業界最快、最高容量的 HBM DRAM,並透露了 GDDR7 的計畫,這是一個熱門話題。Micron 還公佈了其 32 Gb DDR5 DRAM 晶片,將在 2024 年上半年推出,容量可達 128 GB 每模組和 1TB 每 DIMM。
HBM3 Gen 2 和 HBMNext:超高速、超高容量的 DRAM 解決方案
Micron 首先發表了業界最快、最高容量的 HBM DRAM。這個新的 HBM 解決方案被稱為 HBM3 Gen 2,將採用 1β 製程節點,提供更快的速度和更高的容量。讓我們來看看技術和詳細的分解。
Micron 的 HBM3 Gen 2 似乎是一個過渡性的解決方案,將作為下一代 HBM 標準的過渡。因此,Micron 將把現有的 HBM3 標準推向最大潛力。HBM3 Gen 2 的第一代將採用 8-Hi 設計,提供高達 24 GB 的容量和超過 1.2 TB/s 的頻寬,比前一代提高了 2.5 倍的性能功耗比。DRAM 的運行速度為 9.2 Gb/s,比現有標準提高了 50%,後者的速度約為 4.6 Gb/s,預計將在 2024 年推出。
同時,Micron 也將開始取樣其第二代 HBM3 Gen 2 DRAM,將在 2025 年推出,這款 HBM3 Gen 2 DRAM 將採用 12-Hi 設計,提供高達 36 GB 的 DRAM 容量,並再次超過 1.2 TB/s 的頻寬。兩款 HBM3 Gen 2 解決方案都將針對 AI 和生成空間,這是近年來席捲業界的領域。
但這還不是全部,該公司還列出了其 HBMNext DRAM 解決方案,可能是指 HBM4。這個解決方案將提供 36GB 到 64GB 的容量範圍和 1.5 到 2+ TB/s 的頻寬範圍。Micron 的競爭對手 SK Hynix ,也正準備在 2026 年推出其下一代 HBM4 DRAM 解決方案,與 Micron 的 HBMNext 解決方案同期。
HBM 記憶體規格比較
類型 | HBM1 | HBM2 | HBM2E | HBM3 | HBM3 GEN2 | HBMNEXT (HBM4) |
---|---|---|---|---|---|---|
I/O (匯流排介面) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
預取 (I/O) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最大頻寬 | 128 GB/s | 256 GB/s | 460.8 GB/s | 819.2 GB/s | 1.2 TB/s | 1.5 – 2.0 TB/s |
DRAM ICs 每堆疊 | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-12 | 8-12 |
最大容量 | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 24 GB | 24 – 36 GB | 36-64 GB |
tRC | 48ns | 45ns | 45ns | TBA | TBA | TBA |
tCCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | TBA | TBA | TBA |
VPP | 外部 VPP | 外部 VPP | 外部 VPP | 外部 VPP | 外部 VPP | TBA |
VDD | 1.2V | 1.2V | 1.2V | TBA | TBA | TBA |
命令輸入 | 雙命令 | 雙命令 | 雙命令 | 雙命令 | 雙命令 | 雙命令 |
GDDR7:下一代消費級 DRAM 解決方案
除了 HBM3 Gen 2 和 HBMNext 解決方案,Micron 還透露了其 GDDR7 的計畫,這是一個熱門話題。該公司已經確認將在 2024 年上半年推出下一代消費者級 DRAM 解決方案,並與三星競爭,後者也宣佈了其解決方案的速度為每秒傳輸 32Gbps。
有趣的是,Micron 將在其 GDDR7 GPU DRAM 中提供兩種不同的晶片,分別為每晶片 16Gb 和每晶片 24Gb,這對於更高的 VRAM 容量是個好消息。將使得每個 GPU 階層的容量都有所提高,與 GDDR6X 相比時,後者僅限於每晶片 16Gb。GDDR7 記憶體還將以更快的 32Gbps 速度運行,每個模組提供高達 128GB/s 頻寬。以下是可以從各種匯流排配置中期待的:
- 32Gbps@128-bit:512GB/s、每晶片 12GB VRAM
- 32Gbps@192-bit:768 GB/s、每晶片 18GB VRAM
- 32Gbps@256-bit:1024 GB/s、每晶片 24GB VRAM
- 32Gbps@320-bit:1280 GB/s、每晶片 30GB VRAM
- 32Gbps@384-bit:1536 GB/s、每晶片 36GB VRAM
32Gb DDR5:更高密度的 DDR5 晶片
Micron 還公佈了其 32Gb DDR5 DRAM 晶片,將在 2024 年上半年推出,容量可達 128GB 每模組和 1TB 每 DIMM,將使得每個 DIMM 的容量都有所提高,與現有的 DDR5 相比時,後者僅限於每晶片 16Gb。
Micron 的 32Gb DDR5 DRAM 晶片將採用 1α 製程節點,並提供更快的速度和更高的容量。該公司還表示,它將在未來推出更多的 DDR5 解決方案,包括更快的速度和更高的容量。
結論
Micron 在 2023 年第三季的財報會議上公佈了其全新的 DRAM 路線圖,包括下一代 HBM3 產品、GDDR7 和更高密度的 DDR5 晶片,這些新產品將為消費者和企業客戶提供更快、更高容量的 DRAM 解決方案。
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