AI 吃記憶體沒在客氣！Micron 首度挑戰堆疊式 GDDR，打造 HBM 平價替代方案

一張顯示卡的記憶體，Micron 正在走向「立體化」

你有沒有想過插在顯示卡上那幾片薄薄的 GDDR 記憶體顆粒，有一天也會像蓋摩天大樓一樣，把自己「往上疊」？這個看似科幻的場景，正在被 Micron Technology 悄悄變成現實。

消息指出，Micron 已正式啟動堆疊式 GDDR 記憶體的新產品開發，計畫在今年下半年完成設備部署並進入製程測試階段，最快明年就能釋出樣品供業界評估。此舉不僅讓整個記憶體產業為之一振，也讓 Samsung 與 SK Hynix 感受到壓力，因為 Micron 將明顯搶先對手一步，有望在這個新興利基市場中取得先發優勢。

長期以來，GDDR（圖形雙倍資料率記憶體）一直是電競玩家和遊戲主機的標配。相較於 HBM，GDDR 雖然頻寬較低，但整合更容易、成本也便宜許多，近年來也開始被部分 AI 加速器採用。

然而，隨著 AI 工作負載的性質逐漸從「訓練」轉向「推論」，對記憶體的需求也出現結構性變化。記憶體產業正全力迎接現代 AI 工作負載的龐大需求，各家廠商都在積極探索突破之道。在大型語言模型的推論階段，記憶體已成為下一個關鍵瓶頸。

GDDR 憑藉其成本優勢，正逐步打入 AI 推論加速器市場，但頻寬上的天然限制制約了它更進一步的滲透空間。透過堆疊技術強化 GDDR 性能，正是突破這道天花板的解方。

另一方面，HBM（高頻寬記憶體）則是目前 AI 訓練硬體的主流記憶體規格，它透過在單一封裝內垂直堆疊多層記憶體晶片（die），並搭配矽中介層（silicon interposer）設計，實現極高的頻寬與效能。不過，HBM 的生產成本較高，封裝需求也更為嚴苛。

Micron 的新方向正是要把類似的「垂直堆疊」概念套用在 GDDR 上。透過在單一封裝內垂直堆疊記憶體晶片，Micron 希望在不依賴 HBM 複雜矽中介層設計的前提下，同時提升容量與頻寬，打造出更具擴展性且成本更親民的解決方案。

其初步規劃的堆疊層數約為 4 層。相比之下，Micron 自家的 SOCAMM2 模組已成功將 LPDDR5X 堆疊至 16 層、實現單模組高達 256GB 的驚人容量，但 GDDR 由於功耗與散熱特性不同，技術挑戰也大上許多。

根據報告，堆疊式 GDDR 解決方案的整體性能將不及 HBM，但可以提供更高的容量，特別適合現代 AI 推論工作負載的使用場景。

堆疊式 GDDR 預計將佔據介於 HBM 與標準 GDDR 之間的市場區間，同時也可能在持續成長的高效能遊戲顯示卡市場中創造可觀需求。換句話說，這不是要取代 HBM，而是在現有記憶體產品光譜中，開闢一個全新的性價比甜蜜點。

若以 Micron 目前支援高達 32 Gb/s 速度、在 384-bit 匯流排上實現超過 1.5 TB/s 系統頻寬的 GDDR7 規格為基礎來看，堆疊版本的 GDDR 將在此基礎上進一步提升容量，並縮小 PCB 佔板面積。

不過，堆疊式 GDDR 技術目前仍處於發展初期，過去僅出現在學術論文與前沿研究中，從未有過量產先例。業界專家指出，Micron 面臨多重技術難題，包括 GDDR 晶片間的堆疊與互連方式、功耗管理，以及散熱控制。在成本層面，堆疊製程所帶來的額外製造費用同樣不可忽視，若無法相對 HBM 維持足夠的性價比優勢，其市場競爭力將大打折扣。

Micron 目前尚未公開宣布任何堆疊式 GDDR 產品，這項技術仍停留在報告階段，尚未成為確認的產品發布計畫。

雖然堆疊式 GDDR 在理論上也能應用於遊戲顯示卡，但現實很殘酷。Micron 在 HBM 市場上曾因 NVIDIA 認證延遲而遭遇挫折，雖已為 Vera Rubin 平台供應模組，但市佔分配有所下滑，反觀 Samsung 則見成長。因此，這款新品更像是 Micron 在 AI 記憶體市場的策略性佈局，而非為了解決玩家的顯示卡短缺問題。

儘管新記憶體類型未來可能應用於遊戲產品，但主要用途仍將聚焦於 AI 推論及類似工作負載。如果 AI 熱潮在產品問世前退燒，或許那時才有機會看到它出現在消費級顯示卡上。

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