Samsung HBM4 記憶體將於 2025 年底進入量產

Samsung HBM4 記憶體引領下一代高頻寬記憶體技術

根據最新報導，Samsung HBM4 下一代記憶體技術正積極開發中，並計劃於 2025 年底實現量產。三星已開始 HBM4 初步開發工作，並預計將在 2024 年第四季達到 Tape-Out 階段。Tape-Out 通常意味著產品的設計和生產方法已確定，表明三星的 HBM4 記憶體有望在明年正式進入市場。

三星的 HBM4 記憶體將採用邏輯和半導體晶片相結合的新方法，這是業界為提升 HBM 性能而發現的新路線。具體而言，三星將使用其晶圓代工部門的 4nm 製程，並採用市場上最高階的 10nm 第六代 1c DRAM 技術。

HBM4 技術預計將在下一代 AI 產品中得到廣泛應用，包括 NVIDIA 的 Rubin 架構和 AMD 的 MI400 系列。三星和 SK 海力士在這一領域的競爭日趨激烈，兩家公司都在積極開發 HBM4 技術，爭奪市佔。

人工智慧熱潮也推動 HBM 產業的快速增長，需求達到前所未有的水平。這促使三星和 SK 海力士等公司不斷改進其 HBM 產品，以滿足市場對創新的渴求。

隨著 HBM4 技術的成熟和量產，我們可能會看到更多高性能 AI 和計算產品的出現。這不僅將推動科技創新，也可能為各行各業帶來新的應用可能。然而，哪家公司能在 HBM4 市場中脫穎而出，仍需時間來驗證。

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