良率未達標！三星 HBM5E 驚傳無限期延後量產， D1d DRAM 面臨卡關危機
良率卡關！三星次世代記憶體 HBM5E 驚傳無限期暫停量產
近期 AI 晶片市場的記憶體競賽越演越烈，不過三星（Samsung）似乎遇到了一些亂流，據韓國媒體 IT Chosun 的最新報導指出，由於採用 10 奈米製程技術的 D1d DRAM 良率表現不夠理想，三星可能決定暫緩這款次世代 HBM 解決方案的量產計畫。雖然這項第七代 10 奈米的 DRAM 技術先前已順利取得試產前批准 ( PRA )，但因良率始終無法達到目標水準，讓內部對於啟動試產甚至投入量產的投資回報率 ( ROI ) 產生不小的疑慮。
一位熟悉三星電子內部運作的消息人士透露，三星電子目前計畫無限期推遲量產行程，直到 D1d 的良率能夠達到內部設定的目標水準為止。該名人士也強調，截至目前為止，公司尚未決定何時會重新啟動生產。他們現在的重心已轉向全面重新檢視製程藍圖，藉此來尋找進一步提升良率的解決方案。
事實上，三星的 D1d DRAM 技術在該公司未來的 HBM 記憶體發展藍圖中扮演著極為關鍵的角色，這項技術原本預計將會應用在自家第九代 HBM 解決方案的 HBM5E 上面。在目前的產品線規劃中，1c DRAM 正被廣泛應用於包括 HBM4 、 HBM4E 以及 HBM5 等三個世代的 HBM 產品裡。
從市場應用來看， HBM4 預計將會在今年稍晚正式推出，並且會被 NVIDIA 的 Vera Rubin 以及 AMD 的 MI400 平台所採用，進階版的 HBM4E 則預期會搭載於 Rubin Ultra 以及 MI500 等加速器上。至於後續的 HBM5 加上客製化設計，未來更將成為 NVIDIA Feynman 系列以及其他競爭對手解決方案的首選。在這藍圖下，作為 HBM5E 核心的 D1d 技術一旦卡關，勢必會對後續的產品佈局造成相當程度的影響。
幾天前才有消息指出三星正大幅縮短其 HBM 產品的開發週期，雖然這代表全新的 HBM 解決方案能夠以史無前例的速度準備就緒，但這並不意味著它們已達到可實際量產的完美狀態，因為開發週期與生產週期完全是兩回事，而根據這份最新的報導明確指出，生產週期正是三星目前在次世代記憶體上所面臨的最大瓶頸所在。
儘管量產進度暫時受挫，但三星並沒有因此放慢投資的腳步。與此同時，三星電子已投入了額外的龐大資源在韓國溫陽（Onyang）興建一座規模宏大的晶片製造廠，這座佔地面積相當於 4 個足球場大小的新設施，未來將專門用於生產包含 HBM 在內的次世代 DRAM 產品。該廠房將會負責封裝、測試、物流以及品質控管等各項業務，而這些環節對於維持高效且穩定的生產來說，都是至關重要的後段製程核心樞紐。
快速的研發腳步，再加上生產設施的大規模擴張，將有助於三星與老對手 SK 海力士（SK Hynix）展開更激烈的競爭。值得注意的是，SK 海力士目前已成功開發出 D1d DRAM 技術，並且順利確保相關良率表現，兩大記憶體巨頭現在都在拼盡全力，希望能在頂尖 AI 公司中拿下重要的合作訂單。在這場無聲的激烈競賽中，只有那些能夠將 HBM 計畫多元化、專注於落實持續開發與生產藍圖，同時還能確保優異良率與穩定投資回報率的企業，才能夠真正創造出正面的好成績並笑到最後。
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