SK 海力士 16-Hi HBM3E 記憶體發表：全球首款！單堆疊容量高達 48GB
全球首款 16-Hi HBM3E 記憶體：SK 海力士展現新一代 AI 記憶體技術
在 2024 年首爾舉辦的 SK AI 峰會上，SK 海力士 CEO 郭魯政 (Kwak Noh-Jung) 正式宣布推出全球首款 16-Hi HBM3E 記憶體，單一堆疊容量高達 48 GB，是目前業界最高層數與容量的 HBM 解決方案。該產品預計將在 2025 年初開始提供樣品，進一步增強公司在 AI 記憶體領域的市場競爭力。
新型 HBM3E 記憶體採用先進的 MR-MUF (模組化多重接合) 工藝技術，使其得以成功生產具備 16 層結構的產品。此外，SK 海力士也在同步研發混合接合技術作為未來升級的替代方案。與 12 層產品相比，16 層 HBM3E 在訓練效率上提升 18％，在推理性能上增強 32％，預計將有助於推動 AI 加速器市場的成長。
除了 HBM3E 記憶體，SK 海力士也積極擴展其在高效能儲存設備上的布局。該公司正準備推出支援 PCIe 6.0 的 SSD，同時開發大容量 QLC 型 eSSD 以及 UFS 5.0 解決方案。這些產品將進一步提升公司在資料中心和 AI 運算應用中的競爭優勢。
SK 海力士也在開發 LPCAMM 模組，旨在應對 PC 與資料中心市場對低功耗、高效能記憶體的需求。該公司還規劃從 HBM4 代開始採用與全球頂尖邏輯晶圓代工廠合作開發的邏輯工藝，確保產品符合客戶對性能和穩定性的高標準。
為突破現有的「記憶體牆」瓶頸，SK 海力士正在研發可執行計算的記憶體技術，包括「靠近記憶體運算」(PNM)、「記憶體內運算」(PIM)，以及「計算型儲存」等前瞻技術。這些技術將大幅提升大數據處理的效率，對未來 AI 系統結構帶來革命性的影響，並促使 AI 行業邁入全新發展階段。
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