Snapdragon X Elite 封裝功耗可達近 100W，超過 Apple M3 Pro 兩倍以上

Snapdragon X Elite 功耗可達近 100W，遠高於 Apple M3 Pro

隨著高通 Snapdragon X Elite 正式發表，先前有報導指出，Snapdragon X Elite 可在 23W 和 80W 兩種功耗限制下運作。但根據最新發現，高通這款最新的 ARM 晶片組的功耗可達近 100W，而這僅僅是 CPU 部分，與其最接近的競爭對手 Apple M3 Pro 相比，可謂是個電力怪獸。

編號為「X1E84100」的頂級 Snapdragon X Elite 擁有 3.8 GHz 的基礎時脈、4.2 GHz 的加速時脈以及 4.6 TFLOPs 的 Adreno GPU 內顯。與其他兩款 SKU 相比，這些改進將導致功耗急劇上升。根據 Android Authority 的報導，高通生產的 95% 的 Snapdragon X Elite 晶片可能會達到 98.50W 的封裝功耗，而其中 50% 的晶片可能會達到較低的 82.33W 峰值功耗。

至於編號為「X1E80100」的第二版本，其封裝功耗可達 52.92W，而高通 50% 的 Snapdragon X Elite 晶片可能會達到 43.40W 的峰值。奇怪的是，儘管這個版本的基礎時脈為 3.4 GHz，加速時脈為 4.0 GHz，與頂級版本的差異並不大，但功耗指標卻大幅降低。相比之下，最大封裝功耗仍然是 M3 Pro CPU 負載的兩倍多，後者的功耗可達 42W。很明顯，台積電的 3nm 製程為 Apple 在功耗節能方面提供相當大的幫助。

然而，Apple 上一代採用台積電 4nm 製程量產的 M2 Pro 達到 55W。值得注意的是，Snapdragon X Elite 也是使用上述 4nm 技術製造的。即使是 Intel 的 Core Ultra 7 155H 也使用大約 80W 的功率。兩個 Snapdragon X Elite 版本之間僅相差 400 MHz 時脈，卻出現如此巨大功耗差異，原因在於高通對其頂級版本進行激進的超頻，這將迫使 SoC 消耗大量功率，以至於出現收益遞減的情況。

此外，Snapdragon X Elite 幾乎不可能在多款筆電上持續保持 98.5W 的功耗限制，晶片組沒意外的話幾乎會馬上進入節流狀態以降低溫度。簡而言之，對高通的合作夥伴來說，更明智的做法是選擇編號為「X1E80100」的版本，其運行時脈可能較低，但性能差異幾乎不會被注意到，而且還將享受到顯著降低的溫度。

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